akif38
| | Tarih: 05.03.2008, 18:25 Mesaj konusu: erciyes devreler lab - Fet li kuvvetlendiriciler deney rapor | |
| AMAÇ:Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF’lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesidir.Ayrıca,azaltıcı tip (Depletion type) MOSFET’lerde kutuplama ve kuvvetlendirme işlemleri JFET’lerde aynı özellikleri taşıdığından,burada anlatılanlar azaltıcı tip MOSFET’leri de kapsamaktadır.
ÖNBİLGİLER:FET’ler BJT’ler gibi yarıiletken malzemelerden yapılmasına rağmen,tek tip(unipolar) taşıyıcıya sahip olmaları,çok yüksek giriş dirençlerinin bulunması,gürültülerinin ve ısıl kararlılıklarının daha iyi olması gibi avantajları ve kazanç bandgenişliği çarpmının nispeten küçük olması gibi dezavantajlarıyla BJT’lerden ayrılmaktadır.İki eleman arasınadaki çalışma prensipleri açısından temel farklılık ise BJT’lerin akım kontrollu,FET’lerin ise gerilim kontrolu eleman olmalarıdır.
FET’li Kuvvetlendiricilerin Kutuplanması
|
|
