cmos teknolojisi temel süreçleri - sunum

mstf123

enteğre yapımıyla ilgili güzel bir döküman okumanızı tavsiye ederim

temel süreçler
şekillendirme (litografi)
katkılama
katman büyütme
katman aşındırma
katkılama
amaç :

yarıiletken malzemenin tipini değiştirmek (n tipi / p tipi)
malzemenin iletkenliğini istenilen değere getirmek

yöntem:

iyon ekme
difüzyon

iyon ekme

katman oluşturma
oksitleme
poli-si büyütme
si3n4 büyütme
bpsg büyütme
al kaplama
metal arası oksit büyütme

hedefler:
katmanların yüksek saflıkta büyümesi
partikül kirliliği olmaması
pul içi ve puldan pula kalınlık değişimlerinin az olması
-----------------------------------------------------