---

arkadaşlar selam...bir gün derste bir arkadaşım hocaya bu soruyu sormuştu ve cevabını alamamıştı...
Ben de merak ettim... silisyumun diyodun iletime geçmesi için 0,7V gerekirken; germanyum için 0,3V yeterli..sizce bu germanyum diyod için bir avantaj olamazmı? Aslında silisyumun yaygın kullanım olduğunu biliyorum... bunun sebebini bilen arkadaşlardan cavap bekliyorum...ilgilenen arkadaşlara şimdiden teşekkür ederim...

---

kesin bir cevap olmamakla birlikte aklıma gelen birkaç yorumu yapacam.bunlardan birincisi kullanılan malzemenin esnekliği.yani esneklik derken çalışma aralığı dayanıklılığı vs.vs..bunalrın yanında bilindiği üzere yarıiletkenlerde jonksiyon yapıları değişiktir.mesela transistör triyak tristör diyot vs vs..bu gibi ekipmanların devreye uyumu için jonksiyon yapısının önemli olduğunu düşünüyorum..bu açıdan silisyum daha çok kullanılıyor olabilir..birde malzemenin elde edilebilirliğide önemli bence.silisyum çok yaygın bir malzeme..tabi bunlar sadece basit yorumlar.ama asıl nedenini bende merak ettim..bilen arkadaşlar yardımcı olurlar
Başa dön

---

germanyum –silisyum karşılaştırması...

sevgili EmreCan arkadaşım ince bir ayrıntıya değinmişsin bilmekte yarar var... işte cevabı...

Atomik yapıları dikkate alındığında silisyumun da germanyumun da son elektron yörüngelerinde 4'er elektron bulunur, fakat toplam elektron sayısı dikkate alındığında germanyumun 32, silisyumun14 elektronu bulunur. Bunun anlamı nedir?

Bunun anlamı, elektron sayısı fazla olan malzeme atomun çekim kuvvetinden daha çabuk kurtulacağı için daha küçük bir etki ile iletken olabileceğidir. Bir örnek vermek gerekirse germanyum diyotun iletime geçme voltajı 0,3 volt iken silisyumun 0,7 volttur. Yani iletim konusunda silisyum daha stabil bir malzemedir. Germanyum yukarıda anlattığım atomik yapı yüzünden özelliğini daha çabuk kaybedebilen bir malzemedir. İşte bu nedenden dolayı silisyum daha çok tercih edilir.
Başa dön

---

Ben ilk elektroniğe başlarken yıl 1970 cıvarlarıydı.Ortalıkta silisyum yarı iletken malzeme pek yoktu.Germenyum transistör ve diotla çok çalıştım.Hatırladığım şu sıkıntıları vardı

1-Çalışma gerilimleri pek yüksek olamıyordu.
2-Parçaların üstlerinde totlal harcanan watları düşüktü.
3-Sızıntı akımları çok fazlaydı.
4-Genelde hep pnp vardı.

Ufak eşik gerilimi olması aslında bir avanatajdır fakat diğer sorunları onu birçok alanda mezara gömdü....
Başa dön

---

sio2

arkadaşlar bu konuda farklı acıdan bir bilgi daha vermek istiyorum. Bilindiği üzere katkılanma sürecinde p-n katmanları arasına konulan yalıtkan malzemeler mevcut.Bu yalıtkan malzemelerden en kullanışlısı SilisyumOksit (SiO2).Kullanışlı derken SiO2 yalıtkanı mükemmele en yakın yalıtkanlığı min kalınlıkla sağlar.Bu min kalınlık da malzemenin ufaltılması açısından önemli bir özelliktir.Hatta SiO2 in bu yapısından dolayı da çok katmanlı yapıların arasında sıkça kullanımı söz konusudur.Örneğin MOSFET , SiO2 in bu özelliği sayesinde yapılmaya başlanmıştır. Tüm bu sebeplerden SiO2 yalıtkan olarak tercih edilir.
Gerçekte bir yarıiletken yapmak istiyorsak iletim kalitesi önemlidir.Bunun da sırası şu şekildedir :

1) GeAs 2)Ge 3)Si

Ancak biz yalıtkan malzeme olarak SiO2 seçtiğimizden,iletken olarak seçilen malzemenin buna uyum sağlaması gerekmektedir. Yapılan denemeler ve ölçümler sonucu SiO2 yalıtkanı kullanıldığında görülmüştür ki en verimli şekilde çalısan yapı Si ile gerçekleştirilen yarıiletken yapısıdır.İşte bu sebeple de Si genellikle tercih sebebi olmuştur.Mutlaka diğer sebepler de geçerlidir ama bu da önemli bir etken olmuştur.Saygılarımla...

En son cbilgicer tarafından 01.04.2007, 03:48 tarihinde değiştirildi, toplam 1 kere değiştirildi
Başa dön

---

germanyum diyot sıcaklığa ve manyetik etkilere karşı duyarlılığı daha fazla yani kararlı devre analizi yaparken tolerans her zaman önemli olduğu için duyarllık da önem kazanıyor.
bir de saf halde bulunması zor diye duymuştum ve zaten silisyumdan bol bişey yok dünyada maliyeti de uygun yani.
Başa dön